三星电子展示了其最先进的内存硬件，并宣称性能和能效均有所提升，拟在争夺长期主导地位的竞赛中超越竞争对手SK海力士和美光科技。
三星在一份声明中表示，这款新系统将高带宽内存垂直堆叠在人工智能加速器之上，性能约为下一代HBM5的八倍。该系统采用先进的晶圆键合技术，内存密度也将达到HBM5的十倍以上，同时还支持定制化设计。三星计划在今年下半年提高HBM4的产量。目前尚未公布HBM5或这项未来技术的具体时间表。
在规模近万亿美元的存储市场竞争异常激烈之际，三星正与SK海力士以及美国美光科技展开激烈角逐。随着这些存储巨头竞相争夺利润丰厚的数据中心合同并扩大生产规模，抢先于竞争对手推出下一代架构已成为赢得重要客户的关键。
这款名为zHBM的新系统凸显了三星致力于成为人工智能时代端到端基础设施提供商的努力。该公司还推出了基于其V-NAND技术的下一代NAND解决方案zNAND-O，称该方案能更好地支持实时、数据密集型人工智能应用。
三星还推出了业界首款V10 BV-NAND架构，该架构采用全新的晶圆键合技术，拥有超过400层。与上一代产品相比，存储密度提升了近60%，同时读写速度也得到了提升。除了硬件方面的突破，三星还展示了产品路线图，其中包括下一代内存处理芯片和高容量企业级存储解决方案。
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责任编辑：王永生
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